Транзистор КТ503Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Е предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО. 336.183 ТУ / 02
Особенности
- - 45 до + 100 C
- Комплиментарная пара КТ502
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | База |
| №3 | Коллектор |
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Гр. напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iк=10mA, Iб=0 | 25-80 | - |
| Обратный ток коллектора | Iкбo | мкА | Uкб= Uкб max | - | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока | h21Е | - | Uкэ=5B, Iк=10 мA | 40 | 240 |
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | - | 0,6 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | - | 1,2 |
| Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. * | МГц | Uкб= 5B, Iэ=-3 мA | 5 | - |
| Емкость коллекторного перехода | Ск * | пФ | Uкб= 5B, f=1МГц | - | 50 |
* Справочные параметры
| Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
| Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 40-100 |
| Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 25-80 |
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 150 |
|
Импульсный ток коллектора
(tи 10) |
Iки max | мА | 100 |
| Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 300 |
| Температура перехода | Tj | C | 350 |
| КТ503А | КТ503Б | КТ503В | КТ503Г | КТ503Д | КТ503Е | |
| Uкб max, В | 40 | 40 | 60 | 60 | 80 | 100 |
| Uкэ max, В | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
| Uкэо гр. | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
| h21e | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 40-120 |
