Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т624А-2

No votes yet
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы "2Т624А-2" предназначены для применения в системах памяти ЭВМ в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - Я53.365.022 ТУ.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Обратный ток коллектора, мкА, при UКБ = 30 В IКБО - 100  
Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4 В IЭБО - 100  
Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА, при UКЭ = 30 В, RЭБ = 0 IКЭК - 200  
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, при UКЭ = 1 В, IК = 300 мА, tи 30 мкс, Q 50 h21Э 30 180  
Время рассасывания, нс, при IК= 100 мА, IБ1 = IБ2 = 100 мА, tи 30 мкс, Q 50 tрас - 15  
Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКБ = 5 В, IЭ = 0, f = 107 Гц СК - 15  
Емкость эмиттерного перехода, пФ, при UЭБ = 0,5 В, IК = 0, f = 107 Гц СЭ - 50  
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, при IК = 1 А, IБ = 100 мА, tи 30 мкс, Q 50 UКЭ нас - 0,87  
Напряжение насыщения база-эмиттер, В, при IК = 1 А, IБ = 100 мА, tи 30 мкс, Q 50 UБЭ нас - 1,7  
Граничное напряжение, В, при IК= 30 мА, IБ = 0, tи 30 мкс, Q 50 UКЭОгр 12 -  
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте, при UКЭ = 5 В, IК = 100 мА, f = 108 Гц h21э 4,5 -