Транзистор с изолированным затвором КП7173А
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор КП7173А с изолированным затвором, обогащением n- канала, встроенным в цепь «затвор-исток» двухсторонним стабилитроном, предназначенный для использования в источниках питания телевизионных приемников, драйверах высокого напряжения, быстродействующих преобразователях напряжения, высоковольтных аналоговых схемах, телекоммуникационных системах и другой радиоэлектронной аппаратуре. Зарубежный прототип STP4NK60Z фирмы STMicroelectronics. Диапазон рабочих температур корпуса от - 45 до + 125°C. Климатическое исполнение категории 5.1 ГОСТ15150. Обозначение технических условий АДБК 432140.330 ТУ. Корпусное исполнение-пластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220AB).
| Вывод | Назначение |
| №1 | Затвор |
| №2 | Сток |
| №3 | Исток |
| Наименование | Буквенное обозначение параметра |
Норма |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток, | UСИ.mах | 600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В | UЗИ mах | ±30 |
|
Максимально допустимый постоянный ток стока 1)
(Ткор от минус 45 до 25 °С), А |
IC mах | 4,0 |
|
Максимально допустимый постоянный ток стока
(Ткор = 100 °С), А |
IC mах | 2,5 |
|
Максимально допустимый импульсный ток стока
(tи& 300 мкс), А |
IC(и) mах | 16 |
|
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода
(Ткор = 25 °С), А |
Iпр.mах | 4,0 |
| Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, А | Iпр,и mах | 16 |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность при температуре корпуса от минус 45 до 25 °С, Вт 2) | Рmах | 70 |
| Максимально допустимая температура перехода, °С | Тпер.mах | 150 |
| Тепловое сопротивление переход - корпус, °С/Вт | Rqпер-кор | 1,78 |
|
1)В диапазоне температур корпуса от 25 до 125 °С значение I снижается в соответствии с C mах графиком, приведенным на рисунке 13. 2)В диапазоне температур корпуса от 25 до 125 °С максимально допустимую рассеиваемую мощность рассчитывают по формуле: Рmах = (Тпер mах - Ткор) / Rqпер-кор |
||
|
Наименование |
Буквенное обозначение параметра |
Норма |
Температура корпуса,
°С |
|
|
не менее |
не более |
|||
|
Остаточный ток стока
(UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА (UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА |
IС ост |
- - |
20 200 |
25 125 |
| Ток утечки затвора (UЗИ = ±20 В, UСИ =0 В), мкА | IЗ ут | - | ±20 | 25 |
|
Наименование |
Буквенное обозначение |
Значение | ||
| Мин. | Типовое | Макс. | ||
|
Остаточный ток стока
(UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА |
IС ост | - | - | 10 |
|
Ток утечки затвора
(UЗИ= ±20 В, UСИ = 0 В), мкА |
IЗ ут |
- | - | ±10 |
|
Ток стока
(UЗИ= 10 В, UСИ = 12 В, tи 300 мкс, Q 50), А |
IС | 4,0 | - | - |
|
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(UЗИ = 10 В, IС = 2,0 А, tи 300 мкс, Q 50), Ом |
RСИ отк | - | - | 2,0 |
|
Крутизна характеристики
(UСИ = 25 В, IС = 2,0 А, tи 300 мкс, Q 50), А/В |
S | 2,4 | - | - |
|
Постоянное прямое напряжение диода
(UЗИ= 0 В, Iпр= 4,0 А, tи 300 мкс, Q 50), В |
Uпр | - | - | 1,6 |
|
Пороговое напряжение
(UЗИ= UCИ, IС= 50 мкА), В |
UЗИ.пор | 3,0 | - | 4,5 |
|
Максимально допустимая энергия одиночного импульса, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя
(UСИ = 50 В, IС = 4 А, Rг = 25 Ом, RC = 3 Ом, L = 13,7 мГн, Tпер нач. = 25 °C), мДж |
ЕAS |
- |
- |
120 |
|
Максимально допустимая энергия повторяющихся импульсов, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя
(UСИ = 50 В, IС = 4 А, Rг = 25 Ом, RC = 3 Ом, L = 0,28 мГн, Tкор = 25 °C, f = 50 Гц), мДж |
ЕAR |
- |
- |
2,4 |
|
Входная емкость
(UЗИ= 0 В, UСИ= 25 В, f = 1 МГц), пФ |
С11И |
- |
- |
1100 |
|
Выходная емкость
(UЗИ= 0 В, UСИ= 25 В, f = 1 МГц), пФ |
С22И |
- |
- |
110 |
|
Прроходная емкость
(UЗИ = 0 В, UСИ = 25 В, f = 1 МГц), пФ |
С12И |
- |
- |
30 |
|
Время включения
(IС= 2,0 А, UСИ = 300 В, Rг = 4,7 Ом, UЗИ= 10 В), нс |
t вкл |
- |
- |
60 |
|
Время выключения
(IС= 2,0 А, UСИ = 300 В, Rг = 4,7 Ом, UЗИ= 10 В), нс |
tвыкл. |
- |
- |
80 |
|
Наименование |
Буквенное обозначение параметра |
Норма | Температура, корпуса (среды), °С | |
| не менее | не более | |||
| Остаточный ток стока | IС ост |
- |
10 |
25 |
| (UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА | ||||
| (UЗИ = 0 В, UСИ = 600 В), мкА | - | 100 | 125 | |
| (UЗИ = 0 В, UСИ = 500 В), мкА | - | 10 | (-45) | |
| Ток утечки затвора (UЗИ = ±20 В, UСИ = 0 В), мкА | IЗ ут | - | ±10 | 25 |
|
Ток стока
(UЗИ = 10 В, UСИ = 12 В, tи 300 мкс, Q 50), А |
IС | 4,0 | - | 25 |
|
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(UЗИ= 10 В, IС = 2,0 А, tи 300 мкс, Q 50), Ом |
RСИ отк | - | 2,0 | 25 |
|
Крутизна характеристики
(UСИ = 25 В, IС = 2,0 А, tи 300 мкс, Q 50), А/В |
S | 2,4 | - | 25 |
|
Пороговое напряжение
(UЗИ = UCИ, IС = 50 мкА), В |
UЗИ.пор | 3,0 | 4,5 | 25 |
|
Постоянное прямое напряжение диода
(UЗИ= 0 В, Iпр= 4,0 А, tи 300 мкс, Q 50), В |
Uпр | - | 1,6 | 25 |
