Транзистор КТ521А
Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы КТ521А предназначены для использования в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Номер технических условий
- АДБК.432150.778 ТУ
Особенности
- - 60 до + 85 C
- Комплиментарная пара КТ520
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Вывод | Назначение |
№1 | Коллектор |
№2 | База |
№3 | Эмиттер |
Параметры | Обозначение | Ед. измер | Режимы измерения | Min | Max |
Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ521А
КТ521Б |
Uкэо гр. | В |
Iк=10mA, Iб=0 |
300
200 |
-
- |
Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА |
Uкб=300В, Iэ=0 |
100 |
|
КТ521А | |||||
Uкб=200В, Iэ=0 | 0,25 | ||||
КТ521Б | Uкб=200В, Iэ=0 | 100 | |||
Uкб=160В, Iэ=0 | 0,25 | ||||
Обратный ток эмиттера | Iэбо | мкА | Uэб=5B, Iк=0 Uэб=3B, Iк=0 |
-
- |
100
0,1 |
Статический коэффициент передачи тока | h21Е | - | Uкэ=10B, Iк=1 мA Uкэ=10B, Iк=10 мA Uкэ=10B, Iк=30 мA |
25
40 25 |
-
- - |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ521А
КТ521Б |
Uкэ(нас) | В |
Iк=20 мA, Iб=2,0 мA |
-
- |
0,5
0,4 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас) | В | Iк=20 мA, Iб=2,0 мA | - | 0,9 |
Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. | МГц | Uкэ=20B, Iк=10 мA f=100 МГц | 50 | - |
Емкость коллекторного перехода
КТ521А КТ521Б |
Ск | пФ | Uкб=20B, Iэ=0, f=1МГц |
-
- |
6,0
8,0 |
Параметры | Обозначение | Единица измер. | Значение |
Напряжение коллектор-база
КТ521А КТ521Б |
Uкб max | В |
300 200 |
Напряжение коллектор-эмиттер
КТ521А КТ521Б |
Uкэ max | В |
300 200 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 0,5 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | Вт | 0,625 |
Тепловое сопротивление переход-среда | Rt пер-ср | C/Вт | 200 |
Температура перехода | Tj | C | 150 |