Полупроводниковые диодные матрицы с общим анодом 2Д918Г-1
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д918Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - ДР3.362.036 ТУ.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма |
| не более | ||
| Постоянный обратный ток при Uобр= 40 В, мкА | Iобр | 5,0 |
| Постоянное прямое напряжение при Iпр = 50 мА, В | Uпр | 1,0 |
| Общая емкость диода ДМП при Uобр = 0, пФ | СД | 6,0 |
| Заряд восстановления диода, пКл, при Iпр = 50 мА, Uобр,и = 10 В | Qвос | 850 |
