Полупроводниковая диодная матрица с общим катодом 2Д908А
Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2Д908А предназначена для работы в аппаратуре специального назначения. Обозначение технических условий - дР3.362.026 ТУ. Корпусное исполнение металлостеклянный корпус 4112.12-1.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | |
| не менее | не более | ||
| Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА | Iобр | 5,0 | |
| Постоянное прямое напряжение при Iпр = 200 мА, В | Uпр | - | 1,2 |
| Время обратного восстановления диода при Iпр = 200 мА, Uобр,и = 1 В, Iобр.отсч = 3 мА, R = 150 Ом, нс | tвос,обр | 30 | |
| Общая емкость диода ДМП при Uобр = 0, пФ | СД | 5,0 | |
