Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП771А
Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП771А предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Зарубежный прототип – STP40N10. Диапазон рабочих температур корпуса от - 55 до + 150°C. Обозначение технических условий АДБК 432140.767 ТУ. Корпусное исполнение-пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220).
Вывод | Назначение |
№1 | Затвор |
№2 | Сток |
№3 | Исток |
Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Пороговое напряжение | Uзи поp | В | Iс=250мкА,Uзи=Uси | 2.0 | 4.0 |
Ток стока | Iс | А | tи 300мкс. Q 50 |
40 |
|
КП771А | |||||
КП771Б | Uси=2.2B,Uзи=10В | 35 | |||
КП771В | 30 | ||||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии КП771А
КП771Б КП771В |
Rси отк | Ом | tи 300мкс. Q 50 Iс=20А,Uзи=10В |
0.04 0.055 0,077 |
|
Остаточный ток стока | Iс ост | мкА | Uси=Uси max,Uзи=0 | 250 | |
Ток утечки затвора | Iз ут | нА | Uси=0,Uзи=±20В | -100 | +100 |
Крутизна ВАХ | S | А/B | tи 300мкс. Q 50 Uси=25В,Iс=20А |
14 |
|
Прямое напряжение диода | Uпр | В | tи 300мкс. Q 50 Ic=40A,Uзи=0 | 1.6 | |
Время включения/выключения | * tвкл/ tвыкл | нс | tи 1мкс. Q 1000, Uси=80В,Iс=20А, Rг=4.7 Ом ,Uзи=10В |
220/ 170 |
|
Тепловое сопротивление переход-корпус | * Rt п-к | °С/Вт | 1.0 | ||
Входная емкость КП771А,Б КП771В | * C11и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц |
2800 3000 |
|
Выходная емкость КП771А,Б
КП771В |
* C22и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц |
800 1000 |
|
Пpоходная емкость КП771А,Б
КП771В |
* C12и | пФ | Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц |
200 300 |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Предельные значения | ||
А | Б | В | |||
Напряжение сток-исток | Uси max | В | 100 | 100 | 100 |
Напряжение затвор-исток | Uзи max | В | ±20 | ±20 | ±20 |
Постоянный ток стока | Iс max | А | 40 | 35 | 30 |
Импульсный ток стока | Iс и max | А | 160 | 160 | 120 |
Рассеиваемая мощность | Pmax | Вт | 150 | 150 | 150 |
Прямой ток диода | Iпр. max | А | 40 | 35 | 40 |
Температура перехода | Тпеp | °С | 175 | 175 | 175 |