Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор 2П524А9
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор 2П524А9 с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП. Корпусное исполнение: корпус КТ-99-1 ГОСТ 18472. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.519 ТУ.
Требования стойкости к внешним воздействующим факторам
Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических, биологических факторов и специальных сред по ГОСТ В 28146, по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 со следующими уточнениями:
- синусоидальная вибрация в диапазоне частот от 1 до 2 000 Гц с амплитудой ускорения 400 м с-2 (40 g);
- механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м с-2 (1500 g) и длительностью действия (0,1 – 2) мс;
- механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 300 000 м с-2 (30 000 g) и длительностью действия 0,1 мс;
- линейное ускорение 5 000 м с-2 (500 g);
- акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления (относительно 2 10-5 Па) 170 дБ;
- атмосферное пониженное давление 1,3 10-4 (10-6 ) Па (мм рт. ст);
- повышенная рабочая и предельная температура среды 125 С;
- повышенная относительная влажность воздуха 98 % при температуре 35 С.
Указания по эксплуатации
Транзистор 2П524А9 пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Перепайка транзистора не допускается. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем.
При монтаже транзистора корпус должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса вывод не испытывал вращающих или изгибающих усилий. Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730 ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя. Допускается применять транзистор в условиях воздействия механических ударов одиночного действия с пиковым ударным ускорением 300 000 м/с2 (30 000g) и длительностью действия от более 0,1 мс до 5 мс по положительным результатам испытаний в составе аппаратуры, проводимых потребителем. Дополнительное крепление транзистора производят заливкой компаундом ППУ ОСТ 6-55-455 или другим материалом по физико-химическим свойствам не хуже указанного.
Транзистор после снятия с эксплуатации подлежит утилизации без применения специальных методов. Для обеспечения теплового сопротивления R пер-окр 40 С/Вт рекомендуется применение теплоотводящей металлизированной площадки размером не менее 15 х 25 мм на стеклотекстолите толщиной 1 мм СФ-1-50-1,0 ГОСТ 10316.
Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
не менее | не более | |||
Остаточный ток стока, мкА
(UЗИ = 0 В, UСИ = 40 В) (UЗИ = 0 В, UСИ = 60 В) (UЗИ = 0 В, UСИ = 40 В) (UЗИ = 0 В, UСИ = 40 В) |
IС. ост |
-
- - - |
1
10 25 25 |
25±10
25±10 125±5 -60±3 |
Ток утечки затвора, нА (UЗИ = ±10 В, UСИ = 0 В) | IЗ. ут | - | ±100 | 25±10 |
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом (tи 2 мс, Q 50) (UЗИ = 5 В, IС = 1 А) (UЗИ = 3,5 В, IС = 1 А) | RСИ. отк |
-
- |
1,0
1,1 |
25±10
25±10 |
Крутизна характеристики, А/В (UСИ = 1,4 В, IС = 1,0 А, tи 2 мс, Q 50) | S | 0,5 | - | 25±10 |
Пороговое напряжение, В (UЗИ = UCИ, IС = 1 мА) | UЗИ. пор | 1,0 | 2,0 | 25±10 |
Постоянное прямое напряжение диода, В (UЗИ = 0 В, IС = 1,0 А, tи 2 мс, Q 50) | Uпр | - | 2,0 | 25±10 |