Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т928А
Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор 2Т928А предназначен для использования в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин, в схемах генерирования электрических колебаний, а также другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: Я53.365.034ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ2-7 (TO-39). Зарубежные прототипы - прототип 2N2218.
| Параметры | Буквенное обозначение | Ед. изм. | Режимы измеpения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | Uкб=60B | - | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока | h21Е | Uкб=3B, Iэ=150мA | 30 | 100 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | Fгр | МГц | Uкэ=10B f=100МГц Iк=50мА | 300 | |
| Напряжение насыщения коллектор - эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=300мА,Iб=30мA | - | 0,6 |
| Напряжение насыщения база - эмиттер | UБЭ НАС | В | Iк=300мА,Iб=30мA | - | 1,5 |
| Граничное напряжение | Uкэогр | В | Iэ=20мА Iб=0 | 40 | - |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | IКЭR | мкА | Uкб=60B Rбэ=100 Ом | - | 0,6 |
| Ёмкость эмиттерного перехода | Сэ | пФ | Uэб=0 Iк=0 f=10МГц | - | 90 |
| Ёмкость коллекторного перехода | Ск | пФ | Uкб=10B Iэ=0 f=10МГц | - | 10 |
| Время рассасывания | tрас | НС | Iк=300мА IБ1=IБ2=30мА tu 30мкс Q 50 | - | 225 |
| Обратный ток эмиттера | Iэбo | мкА | Uэб= 5 B | - | 5 |
