Кремниевый биполярный транзистор 2Т633А
Кремниевый эпитаксиально-планарный быстродействующий импульсный n-p-n транзистор "2Т633А" в металлическом корпусе с изоляторами, предназначенный для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.007ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ2-7 (TO-39).
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | ||
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора, мкА, при UКБ = 30 В | IКБО | - | 3 | |
| Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4,5 В | IЭБО | - | 3 | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА, при UКЭ = 30 В. | IКЭК | - | 3 | |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (IЭ = 10 мА, UКБ = 1 В) | h21Э | 40 | 140 | |
| Граничное напряжение, В, (IЭ = 10 мА, IБ = 0) | UКЭОгр | 15 | - | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, (IК = 100 мА, IБ = 10 мА) | UКЭ нас | - | 0,5 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, (UКЭ = 10 В, IК = 100 мА, f = 100 МГц) | fгр | 500 | - | |
| Емкость коллекторного перехода, пФ, (UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 10 МГц) | Ск | 4,5 | ||
| Емкость эмиттерного перехода, пФ, (UЭБ = 0,5 В, IК = 0, f = 10 МГц) | Сэ | 25 | ||
| Время рассасывания, нс, (IК = 10 мА, IБ1 = 10 мА, IБ2 = -10 мА, tи 30 мкс, Q 50) | tрас | 13 | ||
