Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т634А-2
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т634А-2 предназначен для применения только в схеме с общей базой на частотах от 1 до 5 ГГц в генераторах, преобразователях и усилителях мощности в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.405 ТУ. Корпусное исполнение - бескорпусное исполнение.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | ||
| не менее | не более | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, при UКЭ = 10 В, IК = 100 мА, f = 300 МГц | fгр | 1500 | - | |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс, при UКБ = 10 В, IЭ = 30 мА, f = 100 МГц | к | - | 2,0 | |
| Обратный ток коллектора, мА, при UКБ = 30 В | IКБ0 | - | 0,5 | |
| Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 3 В | IЭБ0 | - | 50 | |
| Выходная мощность (медианное значение), мВт, при UКБ = 20 В, IК = 100 мА, f = 5 ГГц, Pвх = 200 мВт | Pвых | 450 | - | |
| Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКБ =15 В, f = 10 МГц | Ск | - | 2,5 | |
