Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т610А

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т610А фото 1
No votes yet
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор "2Т610А" в металлическом корпусе. Предназначен для использования в аппаратуре связи и других радиотехнических устройствах специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - Я53.365.009 ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ-16-2.

Технические характеристики
Параметры Буквенное обозначение Ед. изм. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 26
Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10кОм) Uкэ max В 26
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 4
Постоянный ток коллектора Iк max мА 300
Температура перехода Тj С 150
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max Вт 1,5