Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т331В-5
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n бескорпусные высокочастотные транзисторы 2Т331В-5, поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначенные для применения в усилительных устройствах с низким уровнем шумов и генераторах, в составе интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Обозначение технических условий - ХМО.336.003 ТУ. Бескорпусное исполнение (кристаллы на общей пластине).
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | |
| не менее | не более | ||
| Обратный ток коллектора, мкА, (UКБ = 32 В) | IКБО | - | 0,05 |
| Обратный ток эмиттера, мкА, (UЭБ = 3,5 В) | IЭБО | - | 0,1 |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА) | h21Э | 95 | 180 |
| Постоянное напряжение эмиттер- база, В, (UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА) | UЭБО | - | 0,72 |
