Кремниевые транзисторы 2П7145А1/ИМ
Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы 2П7145А1/ИМ в металлокерамическом корпусе КТ-97С предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения
Зарубежные прототипы - IRFP250 фирмы International Rectifier.
Особенности
- UСИ = 200 В,
- RСИ = 0,085 Ом,
- IС = 30 А,
- встроенный диод,
- диапазон рабочих температур от – 60 до + 125 С,
- категория качества ВП.
Корпусное исполнение - металлокерамический корпус КТ-97С (ТО-258). Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.295ТУ.
Требования надежности
Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в режимах и условиях, допускаемых ТУ -25000ч. Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в облегченных режимах РК = 0,7 РКмах, Ткорп = (100±5) С– 50000 ч. Групповой показатель безотказности - интенсивность отказов при испытании в течение наработки в режимах и условиях, допускаемых ТУ, ( и) при доверительной вероятности Р* = 0,6 не более 10-6 1/ч. Минимальный срок сохраняемости 25 лет по ГОСТ В 28146.
Условия эксплуатации
Транзисторы 2П7145А1/ИМ пригодны для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзисторов, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий. Транзисторы необходимо применять с теплоотводами. Крепление транзисторов к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт.
Параметры | Буквенное обозначение | Норма |
Максимально допустимое напряжение сток-исток, В | UСИ mах | 200 |
Максимально допустимое напряжение затвор-сток, В | UЗС mах | 100 |
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В | UЗИ mах | ±20 |
Максимально допустимый постоянный ток стока (Ткорп = 25 °С, Uзи = 10 В, Uси = 4 В), А * | IС mах | 30 |
Максимально допустимый импульсный ток стока (tи 80 мкс, Q 300), А * | IC(и) mах | 120 |
Максимально допустимая рассеиваемая мощность при Ткорп = от минус 60 до 25 °С, Вт* 1 | Рmах | 150 |
Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт | R пер-кор | 0,83 |
Максимально допустимая температура перехода (кристалла), С | Тпер mах | 150 |