Кремниевая эпитаксиально-планарная диодная матрица 2ДC627А
Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2ДС627А в металлокерамическом корпусе, предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур: от - 60 до + 125 C. Обозначение технических условий: дР3.454.000 ТУ. Корпусное исполнение: металлокерамический корпус 401.16-3.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | |
| не менее | не более | ||
| Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА | Iобр | 2,0 | |
| Постоянное прямое напряжение при Iпр = 200 мА, В | Uпр | 0,85 | 1,15 |
|
Время обратного восстановления диода ДМП при Iпр = 200 мА, Uобр,и = 20 В, Iобр.отсч = 10 мА, R = 1 кОм, нс |
tвос,обр | 40 | |
| Общая емкость диода ДМП при Uобр = 0, пФ | СД | 5,0 | |
| Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА | Iобр | 2,0 | |
