Кремниевая эпитаксиально-планарная диодная матрица 2Д917А
Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) "2Д917А" предназначенная для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 C.Обозначение технических условий - дР3.362.027 ТУ. Корпусное исполнение металлостеклянный корпус 4112.12-1.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | |
| не менее | не более | ||
| Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА | Iобр | 5,0 | |
| Постоянное прямое напряжение при Iпр = 200 мА, В | Uпр | 0,87 | 1,17 |
| Время обратного восстановления диода при Iпр = 200 мА, Uобр,и = 10 В, Iобр.отсч = 3 мА, R = 1 кОм, нс | tвос,обр | 50 | |
| Общая емкость диода ДМП при Uобр = 0, пФ | СД | 6,0 | |
| Общая емкость всех диодов ДМП при Uобр = 0, пФ | С | 40 | |
