Диоды Шоттке КДШ2122А-5
Диоды КДШ2122А-5 бескорпусные кремниевые планарные (с барьером Шоттки) с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов (кристалл), поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначенные для использования в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок (ГС), а также для сборки дискретных приборов (с общей герметизацией или иной защитой от воздействия солнечного света, влаги, плесневых грибков и агрессивных сред) и изготавливаемые для нужд народного хозяйства.
Указания по применению и эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ОСТ 11 336.925, ОСТ 11 336.907.0, ОСТ 11 0272 и ОСТ 11 336.907.6 с дополнениями и уточнениями, изложенными в настоящем разделе.
Основное назначение диодов – использование в составе интегральных микросхем, микросборок или дискретных приборов (имеющих герметичные корпуса или иную защиту от воздействия солнечного света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков и агрессивных сред), используемых в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания и пускорегуляторах.
При производстве ГС и при сборке дискретных приборов строго руководствоваться требованиями пункта 6.4 ОСТ 11 336.925 и ОСТ 11 0272. В процессе производства ГС, при проверке, транспортировании, хранении и в процессе эксплуатации ГС необходимо обеспечить защиту от воздействия статического электричества в соответствии с ОСТ 11 073.062. Допустимое значение статического потенциала 200 В, степень жесткости – III.
При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность диодов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно токопроводящих. На всех стадиях производства ГС и сборки дискретных приборов запрещается брать диоды незащищенными руками.
Требования к устойчивости при воздействии внешних факторов
- Повышенная рабочая температура среды 100 С;
- пониженная рабочая температура среды минус 45 С;
- изменение температуры среды от минус 60 до 100 С.
Требования к надежности
- Интенсивность отказов диодов Э в течение наработки не более 3·10 1/ч.
- Наработка диодов в составе ГС и дискретных приборов tн = 25000 ч.
- 95-процентный срок сохраняемости диодов в составе ГС (микросборок) – 10 лет.
| Наименование параметра (режим измерения), единица измерения | Буквенное обозначение параметра | Норма | Температура, С | |
| не менее | не более | |||
|
Постоянный обратный ток1)
(Uобр = 45 В), мА |
Iобр | - | 0,60 | 25 |
| Постоянное прямое напряжение1) (Iпр = 0,5 А), В | Uпр | - | 0,60 | 25 |
| Постоянный обратный ток1), 2), мА | Iобр |
- - |
0,60 10 |
25 100 |
| (Uобр = 45 В ) (Uобр = 45 В ) | ||||
| (Uобр = 40 В ) | - | 0,60 | -45 | |
| Постоянное прямое напряжение1), 2) (Iпр = 0,5 А), В | Uпр | - | 0,60 | 25 |
|
-
- |
0,58
0,73 |
100
-45 |
||
|
1) Параметры проверяют при tи 300 мкс, Q / 100.
2) Параметры, проверяемые в составе ГС (микросборок). |
||||
| Наименование параметра (режим измерения), единица измерения | Буквенное обозначение параметра | Норма |
| Максимально допустимое постоянное обратное напряжение1), В | Uобр,max | 45 |
| Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение1), В | Uобр,и,п,max | 45 |
| Максимально допустимый средний прямой ток2), (Токр 100 С), А | Iпр,ср,max | 0,5 |
|
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток -
синусоидальная полуволна длительностью 1,0 мс, f = 50 Гц (Токр 100 С) 2), А |
Iпр,и,п,max | 5 |
| Максимально допустимая температура перехода, С | Тпер,max | 125 |
|
1) В диапазоне температур окружающей среды от 0 до 100 С включительно. В диапазоне температур ниже 0 до минус 45 С напряжение линейно снижается от 45 до 40 В.
2) В составе ГС (микросборок, приборов) с RQ пер-окр 60 С/Вт. |
||
| Наименование параметра, режим и единица измерения | Буквенное обозначение | Значение параметра | ||
| Минимальное | Типовое | Максимальное | ||
|
Постоянный обратный ток
(Uобр = 45В, tи 300 мкс, Q / 100), мА |
Iобр | - | - | 0,60 |
|
Постоянное прямое напряжение
(Iпр = 0,5 А, tи 300 мкс, Q /100), В |
Uпр | - | - | 0,60 |
|
Пробивное напряжение
(Iобр = 10 мА, tи 300 мкс, Q / 100), В |
Uпроб | 45 | - | - |
| Общая емкость диода (Uобр = 5 В, f = 1 МГц), пФ | СД | - | - | 40 |
| Наименование параметра (режим измерения), единица измерения | Буквенное обозначение параметра | Норма | Температура, С | |
| не менее | не более | |||
|
Постоянный обратный ток
(Uобр = 45 В, tи 300 мкс, Q / 100), мА |
Iобр | - | 1,2 | 25±10 |
