Биполярный транзистор 2Е802А-5 с изолированным затвором

Бескорпусные кремниевые планарные биполярные транзисторы "2Е802А-5"с изолированным затвором, поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках и блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей. Транзисторы применяются для работы в ключевых устройствах аппаратуры специального назначения. Категория качества ВП.

Ближайший функциональный аналог - IRG4DC30. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.321 ТУ. Конструктивное исполнение - кристаллы на общей пластине неразделенные.

Требования к устойчивости при специальных воздействиях

• Специальные воздействия в составе ГС (микросборок) – по ОСТ В 11 336.018.
• Специальные воздействия И1, И2, И3, С3, К1, К3 по группе исполнения 1У.

Справочные данные

• 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в режимах и условиях, допустимых ТУ, – 50000 ч.
• 95-процентный ресурс транзисторов (Т ) в облегченных режимах и условиях – 100000 ч.

Механические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ В 11 336.018 со следующим уточнением: уровень звукового давления акустического шума 160 дБ.

Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) по ОСТ В 11 336.018 со следующими уточнениями:

• повышенная рабочая температура среды (корпуса) 125 С;
• смена температуры среды от минус 60 до 125 С.

Указания по применению и эксплуатации

После проведения операций: разделение на кристаллы, присоединение выводов и установка в корпус при соблюдении требований ОСТ В 11 336.018 и ТУ транзисторы должны соответствовать требованиям ОСТ В 11 336.018 и ТУ в течение времени минимальной наработки и сохраняемости. При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность транзисторов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно, токопроводящих. На всех стадиях производства и сборки транзисторов запрещается брать бескорпусные транзисторы незащищенными руками.